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  • 電子負(fù)載電路,電子負(fù)載制作圖文介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2025-05-20 18:58:29
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    電子負(fù)載電路,電子負(fù)載制作圖文介紹
    電子負(fù)載制作指南
    一、恒流模式電子負(fù)載的制作原理
    在恒流模式下,電子負(fù)載能夠在一個(gè)穩(wěn)定的電流值上運(yùn)行,即使輸入電壓發(fā)生變化。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),我們可以利用 MOS 管的線性區(qū)域特性,將其作為可變電阻來消耗電能。
    (一)MOS 管的特性與控制
    當(dāng) MOS 管處于恒流區(qū)(即放大狀態(tài))時(shí),只要 Vgs(柵源電壓)保持恒定,Id(漏極電流)就不會隨 Vds(漏源電壓)的變化而變化,從而實(shí)現(xiàn)了 MOS 管輸出回路電流的恒定。通過改變 Vgs 的值,就可以精確地調(diào)節(jié)輸出回路中恒定電流的大小。
    (二)運(yùn)用運(yùn)放進(jìn)行驅(qū)動和控制
    在實(shí)際應(yīng)用中,我們通常會使用運(yùn)算放大器(運(yùn)放)來對 MOS 管進(jìn)行驅(qū)動和電壓控制,以實(shí)現(xiàn)電壓 - 電流的轉(zhuǎn)換。為了提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性,可以采用電壓基準(zhǔn)來固定輸入電壓。
    電子負(fù)載電路
    如圖 1 所示,采樣電阻 Rs 與運(yùn)放構(gòu)成了一個(gè)比較放大電路。MOS 管輸出回路的電流經(jīng)過 Rs 轉(zhuǎn)換為電壓后,反饋到運(yùn)放的反相端,從而實(shí)現(xiàn)對 Vgs 的控制,進(jìn)而使 MOS 管輸出穩(wěn)定的電流。
    當(dāng)給定一個(gè)電壓 VREF 時(shí):
    若 Rs 上的電壓小于 VREF,即運(yùn)放的 - IN 端電壓小于 + IN 端電壓,運(yùn)放會增加輸出,使 MOS 管的導(dǎo)通程度加深,導(dǎo)致 MOS 管輸出回路電流增大。
    相反,若 Rs 上的電壓大于 VREF,- IN 端電壓大于 + IN 端電壓,運(yùn)放則會減小輸出,使 MOS 管減少輸出回路電流。
    最終,電路會在 VREF 設(shè)定的值上達(dá)到平衡,實(shí)現(xiàn)恒流工作。輸出電流 Id=Is=VREF/Rs,這表明只要 VREF 保持不變,Id 也就保持恒定,從而實(shí)現(xiàn)了恒流輸出。若需要改變恒流值,可以通過調(diào)節(jié) VREF 來實(shí)現(xiàn)。VREF 可以通過電位器調(diào)節(jié)輸入,也可以采用 DAC 芯片由 MCU 控制輸入。使用電位器可以方便地手動調(diào)節(jié)輸出電流。
    二、實(shí)用電子負(fù)載電路的制作
    圖 2 展示了一個(gè)實(shí)用的電子負(fù)載電路,其原理與上述基本恒流電路相似。
    (一)電路組成與功能
    R1 和 U2 構(gòu)成一個(gè) 2.5V 的基準(zhǔn)電壓源。R2 和 Rp 對這 2.5V 電壓進(jìn)行分壓,得到一個(gè)參考電壓并送入運(yùn)放的同相端。MOS 管輸出回路的電流 Is 經(jīng) Rs 轉(zhuǎn)換為電壓后,反饋到運(yùn)放的反相端,從而實(shí)現(xiàn)對電壓 Vgs 的控制,確保 MOS 管輸出回路電流 Is 的穩(wěn)定。
    (二)電容的作用
    電容 C1 在電路中有兩個(gè)主要作用:
    消除雜波,濾除高頻噪聲,提高電路的穩(wěn)定性。
    減緩電壓變化速度,盡量減少 MOS 管柵極電壓的高頻變化,降低振蕩的風(fēng)險(xiǎn)。
    可以根據(jù)分壓公式計(jì)算負(fù)載能夠吸收的最大電流。
    電子負(fù)載電路
    三、器件選型要點(diǎn)
    (一)運(yùn)放選擇
    由于該電路主要用于直流應(yīng)用,因此無需過多考慮單電源工作的問題。但需要關(guān)注運(yùn)放的輸出電壓范圍,以確保 MOS 管能夠在安全的線性區(qū)內(nèi)工作。出于成本考慮,可以選擇 LM358 運(yùn)放,其內(nèi)置的另一個(gè)運(yùn)放可以用于保護(hù)功能。
    (二)MOS 管選擇
    負(fù)載輸入電壓主要受到 MOSFET 的漏極到源極電壓(Vds)額定值和電流檢測電阻器值的限制。在將電源連接到負(fù)載時(shí),必須仔細(xì)計(jì)算功耗,確保 MOSFET 始終處于安全操作區(qū)域(SOA)內(nèi)。否則,如果管芯溫度超過安全余量,MOSFET 可能會損壞。這里推薦選擇常用的 IRFP462 MOS 管。若需要實(shí)現(xiàn)大電流輸出,可以考慮將多個(gè) MOS 管并聯(lián)使用。
    (三)電壓基準(zhǔn)選擇
    TL431 是一款輸出電壓可調(diào)的基準(zhǔn)電壓源。配合合適的外圍電路,它可以在較寬的范圍內(nèi)輸出質(zhì)量較好的基準(zhǔn)電壓,非常適合用于本項(xiàng)目。
    (四)功率電阻選擇
    功率電阻的選擇一定要留有足夠的余量,以保證在高功率條件下能夠穩(wěn)定工作。黃金鋁殼電阻是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。如果需要制作幾十安培的大負(fù)載,可以考慮使用分流器電阻。
    通過上述步驟和要點(diǎn),您可以成功制作出一個(gè)性能穩(wěn)定、可靠的電子負(fù)載。
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