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mos管米勒平臺形成原因,米勒平臺改善介紹
2025-07-07
mos管米勒平臺形成原因,米勒平臺改善介紹一、MOS管米勒平臺形成根源MOS管的三個極之間天然存在寄生電容，具體包括：柵極與源極之間的寄生電
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pmos電流方向,pmos工作區解析
2025-07-07
pmos電流方向,pmos工作區解析一、PMOS電流流向PMOS中，電流從源極（S）流向漏極（D），其導電溝道由帶正電的空穴構成。當柵極（G）相對源極
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pfc電路圖與其原理,典型PFC電路介紹
2025-07-07
pfc電路圖與其原理,典型PFC電路介紹一、PFC電路基本功能PFC電路通過精準控制輸入電流波形，使其與輸入電壓波形保持同步，從而優化功率因數
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mos管的工作原理圖文詳解
2025-07-07
mos管的工作原理圖文詳解一、MOS管的結構組成以N溝道增強型MOS管為例，其構建始于一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底。借助半導體光刻與擴
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電流磁效應是什么,電流磁效應與電磁感應的區別介紹
2025-07-05
電流磁效應是什么,電流磁效應與電磁感應的區別介紹一、電流磁效應的概念電流磁效應是指通電導線會在其周圍產生磁場的現象，這一重要發現由
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gidl效應,柵極誘導漏極泄露電流原因與解決方法介紹
2025-07-05
gidl效應,柵極誘導漏極泄露電流原因與解決方法介紹一、GIDL效應產生原因GIDL（GateInducedDrainLeakage）效應，即柵極誘導漏極泄露電流，主
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防反接保護電路,防反接電路原理圖介紹
2025-07-05
防反接保護電路,防反接電路原理圖介紹一、PMOS防反接電路（一）關鍵元件作用在PMOS管防反接電路里，柵極相連的兩個電阻主要發揮限流與保護
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mos管選型注重的參數,mos管主要參數介紹
2025-07-05
mos管選型注重的參數,mos管主要參數介紹一、電壓參數考量漏源擊穿電壓（V(BR)DSS或VDSS）是MOS管關閉時漏極與源極間能承受的最大電壓。選型
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mosfet與igbt的優缺點,mosfet和igbt區別介紹
2025-07-05
mosfet與igbt的優缺點,mosfet和igbt區別介紹一、MOSFET與IGBT的介紹場效應管主要分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類
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場效應管逆變器,場效應管制作逆變器電路圖介紹
2025-07-05
場效應管逆變器,場效應管制作逆變器電路圖介紹一、逆變器概述逆變器是一種能夠將直流電能轉換為交流電能的電力電子設備。圖1所示的逆變器屬
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模擬開關電路分享,經典模擬電路圖介紹
2025-07-05
模擬開關電路分享,經典模擬電路圖介紹一、橋式整流電路（一）二極管的單向導電性二極管的核心特性在于其單向導電性。當二極管的PN結施加正
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開關變壓器損耗,開關變壓器損耗計算介紹
2025-07-04
開關變壓器損耗,開關變壓器損耗計算介紹一、開關變壓器損耗類型（一）磁滯損耗磁滯損耗受繞組匝數與驅動方式影響，取決于工作周期中B-H曲線